ADP32F03

?采用高性能CMOS工藝
?主頻120MHz（周期8.33ns）
?3.3V單電源
?集成型加電和欠壓復位
?高性能32位CPU 
?單周期32位x32位乘累加(MAC)運算
?單周期2個16位x16位乘累加(MAC)運算
?哈佛(Harvard)總線架構
?原子操作
?快速中斷響應和處理
?統一寄存器編程模式
?4M線性程序/數據地址
?可使用C/C++和匯編語言高效率編程
?片內存儲器資源
?閃存：128K x 16位閃存
?（4個8Kx16位和6個16Kx16位扇區）
?ROM ：128K x 16位ROM
?1K x 16 一次性可編程(OTP) ROM
?L0和L1：2塊4Kx16位獨立尋址SARAM
?H0：1塊8K x 16位SARAM 

?M0 和M1：2塊1Kx16位獨立尋址SARAM

?128位安全密鑰/鎖
?  保護閃存/ROM/OTP 和L0/L1 SARAM 

?  防止固件逆向破解

?電機控制外設（PWM產生電路）

?事件管理器1(EM1) 
?包括：2個16位定時器，3個數值比較器 
?事件管理器2(EM2)

?包括：2個16位定時器，3個數值比較器，

3個捕獲單元，1個正交編碼電路。

?串行端口外設
?串行外設接口(SPI)

? 2個串行通信接口(SCI)，兼容通用異步收

發(UART) 標準

?  增強型控制器局域網絡(eCAN)控制器，

集成片內eCAN驅動器

?12位12通道模數轉換器(ADC)
?   2 x 6通道輸入復用器
?  兩個采樣保持電路
?  單一/同步轉換
?  快速轉換速率：80ns/12.5MSPS
?強大的靜電泄放(ESD)防護能力
?  ESD人體模式(HBM): +4000V/-4000V
?  閂鎖效應(Latch-up)觸發電流: 400mA